삼성전자, 80나노공정 D램 세계 첫 양산

입력 2006-03-14 03:03수정 2009-09-30 09:08
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삼성전자는 세계 최초로 80나노 공정을 적용해 512메가비트(Mb) DDR2 D램 생산을 시작했다고 13일 밝혔다.

이는 반도체 회로선의 폭이 80nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)로 줄어들었음을 뜻한다. 회로선의 폭이 좁아지면 하나의 반도체 원판에 넣을 수 있는 부품 수가 그만큼 많아져 고집적 제품 생산이 가능하다.

삼성전자는 80나노 공정을 적용하면 기존의 90나노 공정 때보다 512Mb D램의 생산성이 50% 높아지게 된다고 설명했다.

이 회사는 지난해 10월 개발해 성공한 70나노 D램 공정기술을 적용한 제품을 올해 하반기부터 만들어 생산성을 더욱 높일 계획이다.

삼성전자 측은 “현재 D램 시장의 주력제품으로 떠오른 DDR2 D램에 이어 다른 D램 제품군에도 80나노 기술을 확대 적용할 것”이라고 말했다.

한편 하이닉스반도체는 이날 80나노 공정을 적용한 512Mb DDR2 D램의 성능에 대해 미국 인텔의 인증을 받았다고 밝혔다.

하이닉스는 올해 2분기(4∼6월)부터 이 제품 생산에 들어갈 예정이다.

이상록 기자 myzodan@donga.com




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