흔들리는 '무어의 법칙'…반도체 집적도 '10억분의 1m' 한계

입력 2003-12-04 18:01수정 2009-09-28 04:03
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“18개월마다 반도체의 트랜지스터 수는 두 배로 증가한다.”

오랫동안 반도체 업계를 지배해 온 이 같은 ‘무어의 법칙’에 대해 인텔 연구진이 ‘시한부 인생’을 선언했다. 초미세 나노미터(nm· 1nm는 10억분의 1m) 공정이 실용화되고 있지만 반도체칩의 집적도를 계속 높이는 데는 한계가 있음을 인정한 것.

4일 인터넷뉴스 ZD넷에 따르면 인텔 연구진들은 최근 보고서를 통해 2018년쯤에 16nm 공정이 실용화되면 이후에는 제조공정의 미세화는 기껏해야 한두 번에 그칠 것으로 전망했다. 무어의 법칙의 효용성이 낮아졌다는 주장은 이전부터 제기돼 왔지만 인텔이 ‘무어의 법칙’을 따르기 어려울 것이라고 밝힌 것은 이번이 처음이다.

반도체 업계는 그동안 인텔의 창업자인 고든 무어가 제창한 ‘무어의 법칙’에 따라 반도체칩의 집적도를 높임으로써 저렴한 고용량 제품을 만들어 왔다. 삼성전자는 무어의 법칙에 맞서 ‘1년마다 메모리 반도체 집적도가 두 배로 늘어난다’는 메모리 신성장론을 주장하고 있다. 그러나 전문가들은 반도체 공정이 16nm 수준이 되면 물리적인 한계로 트랜지스터가 기능을 발휘하지 못할 것으로 보고 있다.

이와 관련해 AMD의 크레이그 샌더 부사장은 “반도체 업계가 나노미터 공정의 물리적 한계를 넘어서려면 새로운 차원의 응용방법을 찾아야할 것”이라고 밝혔다.

김태한기자 freewill@donga.com




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