[단독]尹대통령-바이든, 방명록 대신 3나노 반도체 웨이퍼에 사인한다

윤석열 대통령·바이든 대통령

20일 삼성전자 평택 반도체 공장을 찾는 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령 양국 정상이 첫 식순으로 방명록 사인이 아닌 반도체 웨이퍼에 사인할 예정이다. 해당 웨이퍼는 삼성전자가 세계 최초로 양산 예정인 3나노미터(nm·10억 분의 1m) 공정 웨이퍼다. 아직은 시제품 단계지만 향후 양국의 ‘반도체 동맹’에서 핵심 역할을 할 전망이다.

이날 업계에 따르면 양국 정상은 바이든 대통령의 오산기지 도착 직후 평택 공장을 찾아 공식 일정을 시작한다. 일정은 두 대통령이 삼성전자가 준비한 3나노 웨이퍼에 사인한 후 평택 반도체 공정 라인을 투어하고 함께 경제안보 동맹 비전을 발표하는 순으로 1시간 안팎으로 마무리될 예정이다. 이재용 삼성전자 부회장과 마크 리퍼트 삼성전자 북미법인 부사장, 크리스티아노 아몬 퀄컴 최고경영자(CEO)가 동행한다.

삼성전자 제공

삼성전자의 3나노 웨이퍼는 2020년 7월 ‘나노코리아’ 전시회에서 처음으로 일반에 공개됐다. 2019년 삼성전자가 세계 최초로 개발에 성공한 GAA 기반 3나노 공정은 전 세대인 5나노 공정 대비 칩 면적을 약 35% 줄이고 소비전력을 50% 감소시키면서도 처리속도는 30% 향상시킬 수 있는 기술이다. 글로벌 파운드리 1위인 대만 TSMC와 첨단 공정 경쟁을 벌이고 있는 삼성전자는 TSMC에 앞서 3나노 공정 제품을 올해 상반기(1~6월) 중 양산하는 것이 목표다.

이번 방한 일정의 첫 행사로 양국 정상이 3나노 웨이퍼에 공동 서명한다는 것은 그만큼 향후 첨단 반도체 시장에서 양국이 긴밀한 협업 체제에 나설 것임을 시사한다. 팹리스(설계) 경쟁력을 가진 미국과 파운드리 생산 능력을 가진 한국의 상호 보완 전략이 이날 발표될 것으로 전망된다. 삼성은 지난해 미국 텍사스주 테일러시에 약 20조 원을 투자해 대규모 파운드리 공장 건설 계획을 확정했다.

삼성전자 제공

곽도영 기자 now@donga.com