SK海力士将在世界上首次批量生产128层4D(四维)Nand闪存(图)。在全球半导体景气低迷的情况下，SK海力士向被评为相对脆弱的NAND闪存市场推出了新产品。也就是说，在半导体“超级周期”受挫，美国美光科技等主要企业纷纷减产的情况下，公司期待通过技术力量正面突破危机。
SK海力士26日表示，将在世界上首次开发和量产128层1Tb级的TLC(Triple-Level cell，三层单元格)4D Nand闪存。这是自去年10月开发第96段4D Nand闪存以后，时隔8个月取得的成果。
今年下半年(7~12月)量产的128层1Tb级NAND闪存，每单位面积堆积最多的NAND Cell，集成了3600亿个以上。在占据NAND市场85%以上的TLC产品中，SK海力士是第一个推出1Tb级产品的公司。如果使用该产品，目前占大多数的256GB和512GB智能手机容量将扩大到2TB。因为通过大规模闪存减少NAND个数，消费电量会降低，智能手机的厚度也会变薄。
SK海力士利用与现有相同的4D平台开发了产品。通过优化工序，在96层的基础上增加32层，将整体工序数减少5%。SK海力士方面表示：“转换成128层NAND闪存时所花费的投资费用比之前新老交替时所花费的费用节省了60%。充分利用现有的工序平台，在8个月内开发出128层产品，意义重大。”
半导体业界认为，此前一直以DRAM为中心的SK海力士推出高容量、高配置的NAND产品，将成为其积极进军NAND市场的契机。SK海力士今年第一季度(1~3月)的销售额中，DRAM占据了79%左右。在全球DRAM市场，也紧随三星其后，占据着第2的位置。但是SK海力士在NAND闪存方面的销售比重不到20%，因此一直被指责在NAND领域多少有些薄弱。
据著名市场调查机构IHS Market透露，今年第一季度NAND市场占有率排名第一的是三星电子(34.1%)，排名第二至第五位的分别是日本东芝(18.1%)、美国威斯顿数码(15.4%)和美光(12.9%)、SK海力士(9.6%)。
SK海力士计划从下半年开始销售此次开始量产的128层4D Nand闪存，并接连推出多种解决方案产品。另外，公司还将开发176层4D NAND产品等，持续强化NAND事业竞争力。业内人士认为，此次产品有望攻克进入云数据中心的企业用固态硬盘(SSD)、以及需要高容量存储的第五代(5G)移动通信智能手机的需求。
SK海力士负责GSM的副社长吴钟勋(音)表示：“SK海力士以128层4D Nand闪存确保了NAND事业的根本竞争力。通过具体实现业界最高叠层、最高容量的该产品，适时提供顾客们希望得到的多种解决方案。”
許桐準 hungry@donga.com
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