국가핵심기술 해외 빼돌리면 3년이상 징역

정부, 하한선 설정해 처벌 강화… 외국기업이 M&A땐 신고 의무

반도체 D램이나 유기발광다이오드(OLED) 설계기술 등 국가핵심기술을 해외로 유출할 경우 ‘3년 이상’의 징역형을 받게 된다. 지금은 이런 기술 유출 시 ‘15년 이하 징역형’에 처하게 돼 있지만 형벌의 하한선이 없어 징역기간이 1, 2년 정도에 그치는 경우가 있다는 지적에 따른 것이다.

정부는 13일 국무회의를 열고 이 같은 내용을 담은 ‘산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률(산업기술유출방지법)’ 개정안을 의결했다고 밝혔다.

개정안에 따르면 2020년 6월부터 국가핵심기술을 부당한 이익을 얻기 위해 해외로 유출하면 3년 이상 유기징역의 처벌을 받는다. 현재는 국가핵심기술과 일반산업기술 모두 해외 유출에 대해 15년 이하 징역의 처벌을 받는다. 산업통상자원부 관계자는 “3년 이상으로 하한선을 둬 징역 1, 2년으로 상대적으로 가볍게 처벌받는 경우를 없애기 위한 조치”라고 설명했다. 국가핵심기술에 대한 처벌 수준을 강화한 것이다.

국가핵심기술은 기술적 경제적 가치가 높아 해외로 유출되면 국가 안보와 경제 발전에 악영향을 줄 수 있는 기술을 의미한다. 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률에 따라 지정되며 반도체 7개, 디스플레이 2개, 자동차 철도 9개 등 총 64개가 지정돼 있다.

외국 기업이 국가핵심기술을 가진 기업을 인수합병(M&A)할 경우에는 모두 정부에 신고하도록 규정이 바뀐다. 그간은 국가연구개발자금을 지원받아 개발한 국가핵심기술을 가진 기업을 M&A할 때에만 신고하게 돼 있다.

이 밖에 국가핵심기술을 무단 도용하거나 유출하면 손해액의 최대 3배까지 배상하도록 하는 징벌적 손해배상제도 도입된다.

세종=송충현 기자 balgun@donga.com