“D램 코리아 추격” 마이크론 대공세

히로시마 공장에 9500억원 투자… “2016년 상반기 16nm공정 개발 주력”
삼성-SK하이닉스에 반격카드

세계 3위 D램 제조사인 미국 마이크론테크놀로지가 각각 1, 2위를 차지하고 있는 한국의 삼성전자와 SK하이닉스를 따라잡기 위한 대규모 투자에 나선다.

12일 니혼게이자이신문은 “마이크론이 2013년에 인수한 옛 엘피다의 히로시마 공장에 앞으로 1년간 1000억 엔(약 9500억 원) 이상을 투자해 최신 메모리반도체 제조 설비를 도입하고 내년 상반기(1∼6월) 양산기술을 확보할 것”이라고 보도했다. 마이크론은 이를 포함해 자사의 2016회계연도(2015년 9월∼2016년 8월)에 전년 대비 4% 증가한 58억 달러(약 6조6120억 원)를 투자할 계획이다.

마이크론은 올해도 히로시마 공장에 1000억 엔을 투자한 바 있다. 같은 공장에 2년 연속 대규모 투자를 진행하는 것이다. 보도에 따르면 히로시마 공장에 대한 투자는 16nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정에 집중된다. 양산기술이 확보되면 일본, 미국, 대만 등의 공장 중 일부에도 증산을 위한 추가 투자에 나선다는 전략이다.

마이크론의 16nm D램 공정 투자는 삼성전자와 SK하이닉스에 밀리고 있는 현재의 시장 상황에서 꾀할 수 있는 최선의 ‘반전 카드’로 꼽힌다. 현재 삼성전자는 20nm, SK하이닉스도 20nm대 초반급의 미세공정 기술을 D램 제조에 적용하고 있다. 미세공정 기술력이 좋을수록 한 장의 웨이퍼(반도체의 재료인 실리콘 원판)에서 뽑아낼 수 있는 제품 수가 많아져 원가 경쟁력이 올라간다. 마이크론은 20nm대 후반에 머물러 있다.

이런 차이 때문에 D램 시장의 점유율도 약세다. 글로벌 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 올해 2분기(4∼6월) 마이크론의 D램 시장 점유율은 20.6%로 지난해 3분기(7∼9월)에 비해 3.1%포인트 떨어지며 간신히 20%대를 지켜냈다. 반면 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 45.1%, 27.7%를 기록해 격차가 더 벌어졌다. 반도체업계 관계자는 “지금 추세대로라면 ‘1강 2중’의 D램 시장이 ‘1강 1중 1약’ 구도로 바뀔 수도 있다”고 말했다.

마크 더컨 마이크론 최고경영자(CEO)는 올해 6월 인터뷰에서 “16nm 공정으로 옮겨갈 때쯤이면 삼성전자와의 차이를 확실히 따라잡을 수 있을 것이라고 기대하고 있다”고 말했다. 이를 위한 투자 계획을 이번에 발표한 것이다.

실제로 마이크론이 내년 상반기 계획대로 16nm 제조 기술을 확보할 수 있을지에 대해선 회의적인 시각도 많다. 전자업계 관계자는 “최대한 긍정적인 로드맵을 제시해 최근 실적 부진에 실망한 투자자를 만족시키기 위한 행보”라는 해석도 내놨다. 마이크론은 이달 초 발표한 2015회계연도 4분기(6∼8월) 실적에서 전 분기보다 4.5%포인트 하락한 11.9%의 영업이익률을 기록했다.

황태호 기자 taeho@donga.com / 도쿄=장원재 특파원