김영근교수,차세대 반도체용 신소재 개발

  • 입력 2005년 8월 12일 03시 08분


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빠른 정보처리 속도, 높은 집적도, 전원이 꺼져도 정보가 사라지지 않는 비(非)휘발성을 동시에 지닌 차세대 메모리 반도체용 신소재가 국내 연구진에 의해 개발됐다.

고려대 신소재공학부 김영근(金永根·43·사진) 교수는 “꿈의 메모리 M램을 Gb(기가비트·10억 비트)급으로 집적할 수 있는 2가지 신소재인 니켈-철-규소-붕소 합금과 코발트-철-규소-붕소 합금을 개발했다”고 11일 밝혔다.

기존 소재로는 올해 말 미국에서 64Mb(메가비트·100만 비트) M램이 출시될 예정이다.

과학기술부 테라급 나노소자 개발사업의 지원을 받은 이번 성과는 물리 분야의 세계적 권위지 ‘어플라이드 피직스 레터스’ 22일자에 실릴 예정이다. 관련 원천기술은 국내뿐 아니라 미국 유럽 일본 등에 특허 출원된 상태다.

김 교수는 “이 신소재를 이용하면 메모리를 구성하는 셀 사이의 자기 저항을 최소화해 전력 사용량을 기존 소재보다 7분의 1 수준으로 줄일 수 있다”며 “이를 통해 자체 자기장의 방향도 빨리 바꿀 수 있고 기록 성능도 높아져 5년 후 Gb급 M램이 가능할 것”이라고 말했다.

이충환 동아사이언스 기자 cosmos@donga.com

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