삼성전자 나노반도체 신기술 개발

삼성전자는 50나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m)급 차세대 반도체 제조를 위한 설계 및 공정 신기술을 개발했다고 27일 밝혔다.

신기술은 '다마신 게이트(Damascene Gate)'와 'RCAT(Recess Channel Array Transistor)'로 50nm 이하 초미세 공정 메모리 제품의 상용화에 활용될 예정이다.

'다마신 게이트' 기술은 전통 도자기 제작기술인 상감기법에 착안한 것으로 트랜지스터의 정밀성을 높여 메모리 반도체의 동작 성능을 높여주는 기술로 기대를 모으고 있다. 반도체 제조 과정에서 트랜지스터 게이트 영역을 먼저 형성한 뒤 그 자리에 폴리 실리콘을 채우는 공정 기술이다. 삼성전자는 20nm급 초미세 반도체 공정에도 이 기술을 사용할 수 있다고 설명했다.

RCAT 기술은 D램 메모리의 누설 전류(Leakage)를 최소화해 전력소모량을 절반이상으로 줄여준다. 삼성전자는 이미 80nm급에서 RCAT 기술 적용에 성공했으며 50nm급 차세대 제품에 대해서도 신기술을 활용할 계획이다.

삼성전자는 두 가지 신기술 개발로 나노미터 메모리 반도체 기술 경쟁에서 경쟁 업체에 비해 우위를 확보했다고 밝혔다.

김태한기자 freewill@donga.com