三星电子在主打商品DRAM中再次实现升级换代，提高了30%的生产效率。预计，保持竞争对手无论如何都难以跟上的技术差距的三星电子的“超差距战略”将会更加一往无前。
三星电子20日表示，“从上月开始，世界上首次批量生产第二代(1y纳米)10纳米级DRAM‘10纳米级8Gb DDR4 (Double Data Rate 4)’。”1纳米(纳米•nm)是10亿分之1米，10纳米级，意味着电路的线宽在10纳米左右。一般来说，电路的线宽粗细越细，在半导体的主材料晶片上能生成芯片的数量越多，生产效率就越高。由于可以用同样的工序制造更多的产品，因此价格竞争力会提高。三星电子解释说，“与第一代产品相比，生产效率提高了30%。”
三星电子去年2月成功批量生产第一代10纳米级的8Gb DRAM，在世界上首次开启了10纳米级DRAM时代。此次，通过大幅减小电路线宽，在世界上成功批量生产了芯片尺寸最小的第二代产品，时隔21个月再次独自克服了半导体细微工艺的难题。特别是，在引入被认认为是制造新一代产品时必不可少的“极紫外线(EUV)曝光机”之前，成功改善了产品，从而构筑了能够及时应对全球高端DRAM需求增加的竞争力。
此次的第二代10纳米级DRAM产品采用了超高速、超节电、超小型电路设计等最新工艺技术。与现有的第一代产品相比，速度提高10%以上，耗电量节省15%以上。与三星在2012年批量生产的20纳米级4Gb DDR3相比，容量和速度、耗电效率提高了2倍。另外，还采用了把储存在Cell(栅元)的数据进行更加精密的确认，使Cell的数据读取能力提高2倍以上的“超高感度Cell数据读取系统设计”，以及在电流通过的微细领域用绝缘效果出色的工艺来代替现有使用的物质进行填充的“第二代气隙工艺”等。
通过此次产品的开发，三星就可以维持“超差距战略”，使竞争对手很难赶上。目前在世界上制造DRAM的企业中，占有率超过3%的企业只有三星电子(45.8%)和SK海力士(28.7%)、美国美光(21.0%)。据悉，SK海力士上月才突破10纳米级大关，美光公司目前还停留在20纳米级。
另外，在“半导体超级周期(超长期繁荣)”有可能即将结束的预测登场的情况下，新技术开发可能会成为即使市场情况发生变化，也能继续占据压倒性领先优势的武器。因为，随着人工智能(AI)和大数据等第4次产业革命相关技术的高度化，为了处理演算和数据，势必会优先使用最高配置的产品。
虽然目前的第二代10纳米级DRAM只能批量生产PC产品，但三星集团计划，不久后将推出用于服务器、手机、图像等的多种产品，进入全面10纳米级DRAM量产体系。三星电子储存器事业部总经理陈教荣(音)强调说，“通过转换思路的革新技术开发，突破了半导体的细微化技术的局限。今后将把高端DRAM市场全面转换为10纳米级，进一步加强超差距竞争力。”
金成圭 sunggyu@donga.com
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