15일 삼성전자는 올해부터 전체 낸드플래시 생산량 중 절반 이상을 4세대 V낸드에 집중한다고 밝혔다. 낸드플래시는 메모리반도체의 일종으로 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 특징이 있다. 이 때문에 스마트폰 등 모바일 기기와 차세대 대용량 저장장치 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에 주로 쓰인다. 삼성전자는 서버, PC 등 4세대 V낸드 적용 제품군도 대폭 확대할 계획이다.
삼성전자 측은 “1월 글로벌 B2B(기업 간 거래) 고객에게 제한적으로 공급했던 4세대 256Gb V낸드를 소비자용 SSD, 메모리카드 등에 본격적으로 확대하고 생산 비중도 대폭 늘려 글로벌 수요 증가에 대응할 계획”이라고 밝혔다.
현재 ‘글로벌 반도체 시장의 대세는 낸드플래시’라는 데 이견이 없다. 웨어러블, 빅데이터, 사물인터넷(IoT), 자율주행차 등 4차 산업혁명 시대의 주요 키워드로 불리는 신기술이 모두 상당량의 반도체를 필요로 하기 때문이다. 글로벌 반도체 기업들이 앞다퉈 D램에서 낸드플래시로 생산품을 바꿔가는 것도 이 때문이다.
반도체 업계 관계자는 “올해부터 반도체 업계 초장기 호황을 뜻하는 ‘슈퍼사이클(Super Cycle)’에 진입해 메모리 반도체 수요가 대폭 증가하고 있으며 낸드플래시의 성장세는 독보적”이라고 말했다. 시장조사기관 IHS마킷에 따르면 2020년까지 낸드플래시 시장은 연평균 6.1%로 가파르게 성장할 것으로 전망된다. 삼성전자는 4세대(64단) 256Gb V낸드 양산을 시작함으로써 도시바, 웨스턴디지털 등 경쟁사와 기술격차를 더욱 벌릴 수 있게 됐다.
삼성전자 V낸드는 정보를 저장하는 공간인 셀(Cell)을 평면이 아닌 수직으로 쌓는 방식이다. 똑같은 공간에 단독주택 여러 채를 짓는 것보다 아파트 한 채를 지어 정보 저장의 효율성을 높였다고 생각하면 이해하기가 쉽다. 다만 단수가 높아질수록 전체 구조가 뒤틀리거나 최고층과 최저층 셀의 특성 차이가 생기는 등의 문제가 발생해 높은 기술력이 뒷받침돼야 한다.
삼성전자는 “‘초고집적 셀 구조·공정’ ‘초고속 동작 회로 설계’ 등의 기술을 적용해 기존 3세대(48단) 제품과 비교해 속도와 생산성, 전력효율 등을 모두 30% 이상 향상시켰다”고 강조했다.
삼성전자는 이르면 이달 말부터 본격 가동을 시작하는 경기 평택 반도체 공장에서 4세대(64단) 256Gb V낸드 양산을 시작할 것으로 알려졌다. 삼성전자가 2년간 약 15조6000억 원을 투자한 이 공장은 부지면적만 축구장 400개를 합친 289만 m²(약 87만4000평)에 이른다. 단일 반도체 생산 라인으로는 사상 최대 규모다. 현재 생산 라인 시험 운행 단계를 밟고 있다.
삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 경계현 부사장은 “반도체 칩 하나에 1조 개 이상의 정보를 저장하는 ‘1테라(Tera) 비트 V낸드’ 시대를 앞당기기 위해 임직원 모두 혁신적인 기술 개발에 전념하고 있다”고 말했다.
서동일 dong@donga.com
About Dong-A Ilbo